|
1-
|
DRAM được chế tạo bằng cách sử dụng công nghệ:
|
|
|
A -
|
lưỡng cực và MOS.
|
|
|
B -
|
lưỡng cực.
|
|
|
C -
|
MOS.
|
|
|
D -
|
Không có phương án nào đúng.
|
|
2-
|
Thời gian truy nhập của 1 RAM là 10ns, thời gian tối thiểu phải mất đi giữa hai thao tác đọc là bao nhiêu ?
|
|
|
A -
|
5 ns.
|
|
|
B -
|
10 ns.
|
|
|
C -
|
15 ns.
|
|
|
D -
|
30 ns.
|
|
3-
|
Bộ nhớ FLASH có cấu trúc giống như bộ nhớ :
|
|
|
A -
|
EPROM.
|
|
|
B -
|
RAM.
|
|
|
C -
|
EEPROM.
|
|
|
D -
|
DSRAM.
|
|
4-
|
Linh kiện lưu giữ bit thông tin của SRAM là:
|
|
|
A -
|
Diode.
|
|
|
B -
|
Tụ điện.
|
|
|
C -
|
Trigơ.
|
|
|
D -
|
Transistor.
|
|
5-
|
Cấu tạo của một ô nhớ DRAM gồm có:
|
|
|
A -
|
1 transistor trường MOS và 1 tụ điện.
|
|
|
B -
|
1 transistor trường MOS và 1 diode.
|
|
|
C -
|
1 transistor lưỡng cực và 1 tụ điện.
|
|
|
D -
|
Tất cả đều sai
|
|
6-
|
RAM là bộ nhớ mà:
|
|
|
A -
|
dữ liệu không bị mất khi mất nguồn nuôi.
|
|
|
B -
|
dữ liệu bị mất khi mất nguồn nuôi.
|
|
|
C -
|
Cả A và B đều đúng
|
|
|
D -
|
Tất cả đều sai
|
|
7-
|
Mạch nào được dùng để biến đổi các tín hiệu biến thiên một cách chậm chạp để làm đầu vào cho các mạch logic?
|
|
|
A -
|
bộ dao động đa hài đợi.
|
|
|
B -
|
bộ dao động đa hài.
|
|
|
C -
|
trigơ Schmitt.
|
|
|
D -
|
bộ dao động đa hài dùng IC 555.
|
|
8-
|
Trigơ Schmitt được sử dụng:
|
|
|
A -
|
cho quá trình chuyển đổi sóng đầu vào nhanh.
|
|
|
B -
|
giống như một bộ khuếch đại.
|
|
|
C -
|
cho điện áp vào một chiều.
|
|
|
D -
|
cho quá trình chuyển đổi sóng đầu vào chậm
|
|
9-
|
Trong mạch đa hài đợi hình 6-8, cho điện trở đầu ra của cổng 1 R0 = 1000 Ω , R= 10k Ω , C = 1 μF , tính độ rộng xung ra của mạch:
|
|
|
A -
|
T = 7,7 ms
|
|
|
B -
|
T = 7,7 μ s
|
|
|
C -
|
T = 7,7 ns
|
|
|
D -
|
T = 7,7 s
|
|
10-
|
Trong mạch đa hài đợi hình dưới, cho R = 50k Ω , C = 2,2 μF tính độ rộng xung ra của mạch:
|
|
|
A -
|
T = 12,1 ms
|
|
|
B -
|
T = 11,2 ms
|
|
|
C -
|
T = 1,21 ms
|
|
|
D -
|
T = 1,11 ms
|
