Trở kháng ra của toàn bộ mạch khuếch đại nhiều tầng sẽ bằng với . . . . . . . .
A -
tổng trở kháng ra của mổi tầng;
B -
tích trở kháng ra của mổi tầng;
C -
trở kháng ra của tầng đầu tiên;
D -
trở kháng ra của tầng cuối cùng.
2-
Trị số điện dung của các tụ rẽ mạch và ghép tầng là một trong những yếu tố chính khi xác định .
. . . . .
A -
tần số cắt thấp
B -
hệ số khuếch đại điện áp
C -
hệ số khuếch đại dòng điện
D -
tần số cắt cao.
3-
Nếu trở kháng vào của tầng thứ hai là 1kΩ, thì tụ ghép nối giữa tầng thứ nhất và tầng thứ hai
sẽ có Xc vào khoảng . . . . . đối với tần số thấp nhất sẽ được khuếch đại.
A -
1Ω ;
B -
10Ω
C -
100Ω
D -
1kΩ;
4-
Các mạch khuếch đại ghép trực tiếp có ưu điểm hơn các mạch khuếch đại ghép RC là ở chổ
chúng có thể khuếch đại . . . . . .
A -
các mức tín hiệu lớn hơn;
B -
các tín hiệu tần số cao;
C -
các mức tín hiệu nhỏ hơn;
D -
các tín hiệu tần số thấp.
5-
Trong thực tế các bộ khuếch đại ghép trực tiếp có thể dễ bị ảnh hưởng với vấn đề . . . . . .
A -
về hệ số khuếch đại;
B -
về độ bảo hoà;
C -
về độ trôi DC;
D -
về trở kháng.
6-
Hình vẽ bên dưới sử dụng từ câu trắc nghiệm số 6 đến số 10.
Điện áp đo được trên collector của Q1 trong mạch hình vào khoảng 20VDC
A -
mạch đúng chức năng;
B -
tụ C2 bị ngắn mạch;
C -
tụ C2 bị hở mạch;
D -
điện trở R1 bị hở mạch.
7-
Điện áp đo được trên collector của Q2 ở mạch hình trên là 13,8VDC,
A -
mạch đang làm việc đúng chức năng;
B -
transistor Q2 bị hở mạch giữa collector và emitter;
C -
tụ C5 bị ngắn mạch;
D -
điện trở R8 bị ngắn mạch.
8-
Điện áp DC tại điểm nối của hai điện trở R4 và R5 ở mạch hình trên bằng 0V.
A -
mạch đang làm việc đúng chức năng;
B -
transistor Q1 bị ngắn mạch giữa collector và emitter;
C -
tụ C4 hở mạch;
D -
điện trở R2 bị ngắn mạch.
9-
Hệ số khuếch đại điện áp tín hiệu của Q2 ở mạch hình trên gần bằng hai lần hệ số khuếch
đại tính được.
A -
mạch đang đúng chức năng;
B -
tụ C3 hở mạch;
C -
tụ C3 bị ngắn mạch;
D -
tụ C5 bị hở mạch.
10-
Hệ số khuếch đại điện áp tín hiệu của Q1 gần bằng 3,
