Trắc Nghiệm Vật Lý - Đề Thi Cao Đẳng Năm 2008 - Phần 1
1-
Một đoạn mạch RLC không phân nhánh gồm điện trở thuần 100 Ω , cuộn dây thuần cảm
(cảm thuần) có hệ số tự cảm
và tụ điện có điện dung C thay đổi được. Đặt vào hai đầu đoạn
mạch hiệu điện thế
. Thay đổi điện dung C của tụ điện cho đến khi hiệu điện
thế giữa hai đầu cuộn dây đạt giá trị cực đại. Giá trị cực đại đó bằng:
A -
200 V.
B -
C -
D -
50 V.
2-
Biết hằng số Plăng h = 6,625.10-34 J.s và độ lớn của điện tích nguyên tố là 1,6.10-19 C. Khi nguyên tử hiđrô chuyển từ trạng thái dừng có năng lượng -1,514 eV sang trạng thái dừng có năng lượng -3,407 eV thì nguyên tử phát ra bức xạ có tần số:
A -
2,571.1013 Hz.
B -
4,572.1014 Hz.
C -
3,879.1014 Hz.
D -
6,542.1012 Hz.
3-
Trong một thí nghiệm Iâng (Y-âng) về giao thoa ánh sáng với ánh sáng đơn sắc có bước sóng
λ1 = 540 nm thì thu được hệ vân giao thoa trên màn quan sát có khoảng vân i1 = 0,36 mm. Khi thay
ánh sáng trên bằng ánh sáng đơn sắc có bước sóng λ2 = 600 nm thì thu được hệ vân giao thoa trên
màn quan sát có khoảng vân:
A -
i2 = 0,50 mm.
B -
i2 = 0,40 mm.
C -
i2 = 0,60 mm.
D -
i2 = 0,45 mm.
4-
Một vật dao động điều hoà dọc theo trục Ox với phương trình x = Asinωt. Nếu chọn gốc toạ độ O tại vị trí cân bằng của vật thì gốc thời gian t = 0 là lúc vật:
A -
qua vị trí cân bằng O ngược chiều dương của trục Ox.
B -
ở vị trí li độ cực đại thuộc phần âm của trục Ox.
C -
qua vị trí cân bằng O theo chiều dương của trục Ox.
D -
ở vị trí li độ cực đại thuộc phần dương của trục Ox.
5-
Khi nói về một hệ dao động cưỡng bức ở giai đoạn ổn định, phát biểu nào dưới đây là sai?
A -
Biên độ của hệ dao động cưỡng bức phụ thuộc vào tần số của ngoại lực cưỡng bức.
B -
Biên độ của hệ dao động cưỡng bức phụ thuộc biên độ của ngoại lực cưỡng bức.
C -
Tần số của hệ dao động cưỡng bức luôn bằng tần số dao động riêng của hệ.
D -
Tần số của hệ dao động cưỡng bức bằng tần số của ngoại lực cưỡng bức.
6-
Biết số Avôgađrô NA = 6,02.1023 hạt/mol và khối lượng của hạt nhân bằng số khối của nó. Số
prôtôn (prôton) có trong 0,27 gam
là:
A -
9,826.1022.
B -
8,826.1022.
C -
7,826.1022.
D -
6,826.1022.
7-
Chiếu lên bề mặt catốt của một tế bào quang điện chùm sáng đơn sắc có bước sóng 0,485 μm
thì thấy có hiện tượng quang điện xảy ra. Biết hằng số Plăng h = 6,625.10-34 J.s, vận tốc ánh sáng
trong chân không c = 3.108 m/s, khối lượng nghỉ của êlectrôn (êlectron) là 9,1.10-31 kg và vận tốc ban
đầu cực đại của êlectrôn quang điện là 4.105 m/s. Công thoát êlectrôn của kim loại làm catốt bằng:
A -
6,4.10-20 J.
B -
3,37.10-19 J.
C -
3,37.10-18 J.
D -
6,4.10-21 J.
8-
Đơn vị đo cường độ âm là:
A -
Oát trên mét vuông (W/m2).
B -
Niutơn trên mét vuông (N/m2).
C -
Ben (B).
D -
Oát trên mét (W/m2).
9-
Một mạch dao động LC có điện trở thuần bằng không gồm cuộn dây thuần cảm (cảm thuần) và tụ điện có điện dung 5 μF. Trong mạch có dao động điện từ tự do (riêng) với hiệu điện thế cực đại giữa hai bản tụ điện bằng 10 V. Năng lượng dao động điện từ trong mạch bằng:
A -
2,5.10-3 J.
B -
2,5.10-1 J.
C -
2,5.10-4 J.
D -
2,5.10-2 J.
10-
Dòng điện có dạng i = sin100πt (A) chạy qua cuộn dây có điện trở thuần 10 Ω và hệ số tự cảm L. Công suất tiêu thụ trên cuộn dây là:
A -
10 W.
B -
9 W.
C -
7 W.
D -
5 W.
11-
Đặt một hiệu điện thế xoay chiều có giá trị hiệu dụng không đổi vào hai đầu đoạn mạch RLC không phân nhánh. Hiệu điện thế giữa hai đầu:
A -
đoạn mạch luôn cùng pha với dòng điện trong mạch.
B -
cuộn dây luôn ngược pha với hiệu điện thế giữa hai đầu tụ điện.
C -
cuộn dây luôn vuông pha với hiệu điện thế giữa hai đầu tụ điện.
D -
tụ điện luôn cùng pha với dòng điện trong mạch.
12-
Sóng cơ truyền trong một môi trường dọc theo trục Ox với phương trình u = sin(20t - 4x) (cm) (x tính bằng mét, t tính bằng giây). Vận tốc truyền sóng này trong môi trường trên bằng:
A -
5 m/s.
B -
4 m/s.
C -
40 cm/s.
D -
50 cm/s.
13-
Trong quá trình phân rã hạt nhân
thành hạt nhân , đã phóng ra một hạt α và hai hạt:
A -
prôtôn (prôton).
B -
nơtrôn (nơtron).
C -
pôzitrôn (pôzitron).
D -
êlectrôn (êlectron).
14-
Một đoạn mạch gồm tụ điện có điện dung C, điện trở thuần R, cuộn dây có điện trở trong r
và hệ số tự cảm L mắc nối tiếp. Khi đặt vào hai đầu đoạn mạch hiệu điện thế
thì
dòng điện trong mạch có giá trị hiệu dụng là I. Biết cảm kháng và dung kháng trong mạch là khác nhau. Công suất tiêu thụ trong đoạn mạch này là:
A -
(r + R )I2.
B -
I2R.
C -
D -
UI.
15-
Khi truyền trong chân không, ánh sáng đỏ có bước sóng λ1 = 720 nm, ánh sáng tím có bước
sóng λ2 = 400 nm. Cho hai ánh sáng này truyền trong một môi trường trong suốt thì chiết suất tuyệt
đối của môi trường đó đối với hai ánh sáng này lần lượt là n1 = 1,33 và n2 = 1,34. Khi truyền trong
môi trường trong suốt trên, tỉ số năng lượng của phôtôn có bước sóng λ1 so với năng lượng của
phôtôn có bước sóng λ2 bằng:
A -
B -
C -
D -
16-
Một con lắc lò xo gồm viên bi nhỏ có khối lượng m và lò xo khối lượng không đáng kể có
độ cứng k, dao động điều hoà theo phương thẳng đứng tại nơi có gia tốc rơi tự do là g. Khi viên bi ở
vị trí cân bằng, lò xo dãn một đoạn Δl . Chu kỳ dao động điều hoà của con lắc này là:
A -
B -
C -
D -
17-
Sóng cơ có tần số 80 Hz lan truyền trong một môi trường với vận tốc 4 m/s. Dao động của
các phần tử vật chất tại hai điểm trên một phương truyền sóng cách nguồn sóng những đoạn lần lượt
31 cm và 33,5 cm, lệch pha nhau góc:
A -
rad.
B -
π rad.
C -
2π rad.
D -
rad.
18-
Hạt nhân
có khối lượng nghỉ bằng 36,956563u. Biết khối lượng của nơtrôn (nơtron) là 1,008670u, khối lượng của prôtôn (prôton) là 1,007276u và u = 931 MeV/c2. Năng lượng liên kết riêng của hạt nhân
bằng:
A -
8,5684 MeV.
B -
7,3680 MeV.
C -
8,2532 MeV.
D -
9,2782 MeV.
19-
Khi nói về tia tử ngoại, phát biểu nào dưới đây là sai?
A -
Tia tử ngoại có bước sóng lớn hơn bước sóng của ánh sáng tím.
B -
Tia tử ngoại có tác dụng mạnh lên kính ảnh.
C -
Tia tử ngoại bị thuỷ tinh hấp thụ mạnh và làm ion hoá không khí.
D -
Tia tử ngoại có bản chất là sóng điện từ.
20-
Khi nói về sự phóng xạ, phát biểu nào dưới đây là đúng?
A -
Chu kì phóng xạ của một chất phụ thuộc vào khối lượng của chất đó.
B -
Sự phóng xạ phụ thuộc vào nhiệt độ của chất phóng xạ.
C -
Sự phóng xạ phụ thuộc vào áp suất tác dụng lên bề mặt của khối chất phóng xạ.